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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FDD3510H 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 80V 4.3A/2.8A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R

内部编号

3-FDD3510H

#1

数量:2501
1+¥6.6326
10+¥5.3608
100+¥4.1163
500+¥3.6377
1000+¥2.8718
2500+¥2.5436
10000+¥2.4411
25000+¥2.2906
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:2018
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDD3510H产品详细规格

规格书 FDD3510H datasheet 规格书
FDD3510H datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 N and P-Channel
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 80V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 4.3A, 2.8A
Rds(最大)@ ID,VGS 80 mOhm @ 4.3A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 18nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 800pF @ 40V
功率 - 最大 1.3W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
供应商器件封装 TO-252-4L
包装材料 Tape & Reel (TR)

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